TSM120N06LCS RLG
Hersteller Produktnummer:

TSM120N06LCS RLG

Product Overview

Hersteller:

Taiwan Semiconductor Corporation

Teilenummer:

TSM120N06LCS RLG-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 23A (Tc) 12.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventar:

13532 Stück Neu Original Auf Lager
12895606
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

TSM120N06LCS RLG Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2193 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
12.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
TSM120

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM120N06LCS RLGCT-DG
TSM120N06LCSRLGCT
TSM120N06LCSRLGDKR
TSM120N06LCS RLGTR-DG
TSM120N06LCSRLGTR
TSM120N06LCS RLGDKR
TSM120N06LCS RLGTR
TSM120N06LCS RLGCT
TSM120N06LCS RLGDKR-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
taiwan-semiconductor

TSM4800N15CX6 RFG

MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26

taiwan-semiconductor

TSM340N06CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252

taiwan-semiconductor

TSM6N60CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252

diodes

DMP2160UW-7

MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323