Hersteller Produktnummer:
TSM120N06LCS RLG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM120N06LCS RLG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 23A (Tc) 12.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
13532 Stück Neu Original Auf Lager
12895606
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TSM120N06LCS RLG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2193 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
12.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
TSM120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM120N06LCS RLGCT-DG
TSM120N06LCSRLGCT
TSM120N06LCSRLGDKR
TSM120N06LCS RLGTR-DG
TSM120N06LCSRLGTR
TSM120N06LCS RLGDKR
TSM120N06LCS RLGTR
TSM120N06LCS RLGCT
TSM120N06LCS RLGDKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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